1956年

1956年，中国将半导体技术列为国家四大紧急措施之一，标志着中国半导体产业的正式起步。这一决策是在新中国成立初期，面对西方国家的技术封锁和国内工业基础薄弱的背景下做出的。根据《1956-1967年科学技术发展远景规划》，半导体与计算机、自动化、电子学被置于优先发展的战略位置。中国科学院应用物理研究所成立了半导体研究室，由王守武、林兰英等著名科学家领导。早期工作主要集中在锗晶体管的研究和制备上，并于1957年成功拉制出中国第一根锗单晶。这一阶段的研究为中国培养了第一批半导体专业人才，并为后续的产业发展奠定了初步的技术基础。

1965年

1965年，中国自主研制的第一块集成电路（IC）在河北半导体研究所（现为中国电子科技集团公司第十三研究所）诞生。这一成就发生在国际半导体产业快速发展的背景下，但中国因外部环境相对封闭，主要依靠自力更生。该集成电路是一种DTL（二极管-晶体管逻辑）数字电路，集成度很低，仅包含几个晶体管和电阻。研究团队由王守武等人领导，克服了当时在光刻、材料纯化和封装等方面的巨大困难。这一突破标志着中国进入了集成电路时代，虽然与国际先进水平（例如当时美国已能生产小规模集成电路）差距巨大，但它为后续的国防、航天等领域的电子设备微型化提供了可能。有观点认为，这一时期的研究成果主要服务于特定国防项目，民用化和产业化进程相对缓慢。

1970年代 ~ 1980年代

整个1970年代至1980年代，中国半导体产业进入了一个以自主探索和初步建立工业体系为特征的时期。在“文化大革命”的动荡背景下，科研与生产受到一定影响，但部分项目仍在推进。例如，上海元件五厂等一批国营器件厂建立，开始小批量生产TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路等产品。1975年，北京大学等单位联合研制成功中国第一块三种类型的1K位动态随机存储器（DRAM）。进入80年代，随着改革开放，中国开始尝试引进国外技术。1982年，国务院成立了电子计算机和大规模集成电路领导小组，体现了国家层面的重视。无锡华晶（原742厂）从日本东芝引进了3英寸芯片生产线，这是中国首条较具规模的现代化集成电路生产线。然而，有资料显示，由于资金、管理经验和国际技术转移限制等多重因素，这一时期的技术引进和消化吸收效果有限，产业整体水平与国际的差距并未显著缩小。

1990年代

1990年代是中国半导体产业在改革开放深化背景下，寻求市场化突破和扩大国际合作的关键十年。国家实施了“908工程”（1990年批准）和“909工程”（1995年批准）等一系列重大专项，旨在提升集成电路的制造能力。“908工程”主体是无锡华晶，但由于审批和建设周期过长，其生产线投产时技术已相对落后。“909工程”则更为关键，它投资上百亿元，成立了上海华虹微电子有限公司，并与日本NEC公司合作，于1999年建成了中国第一条8英寸芯片生产线，技术达到0.35微米水平。华虹-NEC的成功运营被视为中国半导体制造业的一个重要里程碑，它不仅在技术上实现了跨越，更重要的是探索了一条与国际领先企业合作、融入全球产业链的道路。与此同时，以中芯国际（SMIC）创始人张汝京为代表的一批海外华人专家开始回国创业，为下一阶段的产业爆发埋下了伏笔。

2000年 ~ 2004年

2000年，国务院颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（俗称“18号文件”），这是中国首次以系统性政策文件的形式，从税收、投融资、研发、进出口、人才等方面对集成电路产业提供全面支持。该政策极大地激励了国内外资本投资中国半导体产业。在此背景下，2000年4月，张汝京在上海浦东创立了中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）。中芯国际通过吸引全球资本和人才，快速建设了多条8英寸生产线，并计划进军12英寸先进制程。到2004年，中芯国际已在纽约和香港两地上市，并一度成为全球第三大芯片代工厂。这一阶段，中国半导体产业呈现出“设计-制造-封装测试”三业并举的雏形，设计公司如展讯通信（2001年成立）、制造端如华虹NEC和中芯国际、封测端如长电科技等均获得长足发展，初步融入了全球半导体产业分工体系。

2006年 ~ 2013年

2006年，“核高基”（核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品）国家科技重大专项启动，这是《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》中确定的16个重大专项之一，与“大型飞机”、“载人航天与探月工程”等并列。核高基专项旨在突破电子信息产业的核心关键技术，其中高端通用芯片（如CPU、DSP）是重中之重。在该专项支持下，龙芯、飞腾、申威等国产CPU设计团队获得了持续的资金和政策支持，虽然在商业化上与Intel、AMD等国际巨头差距巨大，但在特定领域（如国防、超算）取得了应用突破。例如，采用申威处理器的“神威·太湖之光”超级计算机后来多次蝉联全球超级计算机榜首。有观点认为，这一阶段的政策扶持，为中国在部分“卡脖子”领域积累了技术能力和人才储备，但整体产业生态和市场化能力仍有待提升。

2014年

2014年6月，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，标志着中国半导体产业发展进入一个以国家意志强力驱动的新阶段。《纲要》明确提出设计、制造、封测、装备和材料全产业链的发展目标，并设定了到2030年产业总体达到国际领先水平的宏伟蓝图。为保障《纲要》实施，同年9月，国家集成电路产业投资基金（俗称“大基金”）一期正式成立，募资规模约1387亿元人民币。大基金采用市场化运作，重点投资集成电路制造、设计、封测、装备和材料等环节的龙头企业，如中芯国际、长电科技、三安光电等。这一举措通过国家资本引导，吸引了大量社会资本进入半导体领域，极大地缓解了行业长期以来的融资难题，推动了一轮并购和产能扩张热潮，被认为是中国半导体产业发展的一个关键转折点。

2019年 ~ 2020年

2019年至2020年，中美贸易摩擦升级并延伸至科技领域，美国政府对华为、中芯国际等中国领先科技企业实施了一系列严厉的制裁和出口管制措施。2019年5月，美国商务部将华为及其关联公司列入“实体清单”，限制其获取美国技术和零部件。2020年5月，美国商务部进一步升级管制，要求任何使用美国技术或设备为华为生产芯片的企业都必须获得许可，这直接冲击了华为的芯片供应链。同年12月，中芯国际也被列入“实体清单”，限制其获取10纳米及以下先进制程所需的设备和技术。这些事件给中国半导体产业带来了前所未有的压力和挑战，暴露了其在高端制造设备、EDA软件、核心IP等关键环节的对外依赖。有观点认为，这一外部压力客观上加速了中国实现半导体自主可控的决心，促使国内对半导体产业链各环节的投入和政策支持力度空前加大。

2020年 ~ 2023年

面对日益严峻的外部技术封锁，中国进一步强化了对半导体产业的政策和资金支持。2020年8月，国务院发布了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，在原有“18号文件”基础上，推出了更大力度的税收减免政策。国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）于2019年10月注册成立，募资规模超过2000亿元，投资方向更加侧重于半导体装备、材料等上游薄弱环节以及人工智能芯片、5G芯片等新兴领域。与此同时，上海证券交易所科创板于2019年开板，为众多半导体初创企业提供了便捷的上市融资渠道，中微公司、澜起科技、寒武纪等一批半导体企业成功上市。在这一阶段，中国在成熟制程（28纳米及以上）的产能扩张迅速，但在EUV光刻机等尖端设备获取上仍面临巨大障碍，先进制程（7纳米及以下）的发展受到严重制约，全产业链的自主可控成为最紧迫的战略任务。