1957年

应用材料公司（Applied Materials）在美国加利福尼亚州圣克拉拉市成立，最初名为Applied Materials, Inc.，由Michael A. McNeilly等人创立。公司早期业务并非半导体设备制造，而是销售化学气相沉积（CVD）设备及相关耗材。据资料显示，当时半导体行业尚处于起步阶段，硅晶体管刚商业化不久，设备供应多由小型专业公司承担。应用材料成立之初主要代理和分销其他厂商的设备，并逐步积累工艺技术知识。公司选址硅谷腹地，便于接触早期半导体企业如仙童半导体、英特尔等。这一阶段奠定了其日后向设备研发制造转型的基础，但规模极小，员工不足十人，年收入仅数万美元。公司名称中的“应用”一词，据创始团队回忆，意在强调材料科学在电子工业中的实际应用价值。

1967年

应用材料公司推出首款自主研发的半导体设备——AMV 800型立式氧化扩散炉，标志着公司从设备分销商向制造商转型。该设备用于晶圆热氧化和掺杂工艺，是当时集成电路制造中的关键步骤。背景是20世纪60年代中期，美国阿波罗计划带动微电子需求激增，半导体厂商对高性能热处理设备需求迫切。应用材料利用此前代理设备时积累的工艺理解，自行设计加热腔体、温控系统和气体输送管路。据资料显示，AMV 800在热均匀性方面优于当时多数竞品，获得多家中小型半导体厂订单。这一产品使公司年收入突破百万美元，并促使公司建立正式的研发部门。同时，公司开始与贝尔实验室、德州仪器等机构开展工艺合作，推动设备与工艺的协同优化。该产品的成功确立了应用材料在热处理设备领域的早期声誉，但公司此后很快将重心转向更前沿的薄膜沉积技术。

1970年

应用材料公司正式更名为Applied Materials, Inc.，并确立以化学气相沉积（CVD）设备为核心业务方向。20世纪60年代末，半导体工艺从铝线向多晶硅栅极过渡，CVD技术成为制作绝缘层和导电层的核心手段。公司创始人Michael A. McNeilly判断CVD设备市场将快速增长，于是集中资源开发专有的硅烷CVD系统。据资料显示，1970年代初期，应用材料推出了AMC 700型常压CVD设备，能够沉积二氧化硅和氮化硅薄膜，均匀性和附着力优于传统方法。该设备被多家存储器制造商采用，用于层间介质和钝化层制备。这一时期公司还率先引入微处理器控制的工艺配方管理系统，提高了工艺可重复性。受惠于美国半导体产业在军用和航天领域的扩张，应用材料订单量持续增长，1972年员工超过百人，并开始向欧洲和日本出口设备。不过，当时全球半导体设备市场仍由美国主导，应用材料的市场份额尚不及热电子公司等老牌厂商。

1977年

应用材料公司推出业界首款全自动等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统——AMC 780型，大幅提升了薄膜沉积的低温工艺能力。背景是集成电路集成度不断提高，铝金属化层上的低温绝缘层沉积成为瓶颈，传统CVD需在400°C以上进行，容易损伤下层金属。应用材料将射频等离子体引入反应腔，使气体在较低温度下分解并沉积薄膜，工艺温度降至300°C以下。据资料显示，该设备采用平行板电极结构和自动晶圆传输系统，每小时处理能力达40片晶圆，是当时手动设备的四倍。AMC 780被IBM、摩托罗拉等公司用于生产高密度逻辑芯片，显著改善了台阶覆盖率和薄膜致密性。这一技术突破帮助应用材料在1970年代末成为美国最大的半导体沉积设备供应商之一。公司还为此建立了客户应用实验室，提供工艺开发服务，开创了设备厂商与芯片厂联合研发的模式。1978年，公司营收突破2000万美元，并在纳斯达克上市。

1980年 ~ 1984年

应用材料公司经历重大战略调整，退出部分成熟设备业务，集中资源开发高端CVD和刻蚀设备，同时遭遇财务困境和管理层变动。1980年代初，日本半导体设备厂商如东京电子、日立开始以低价进入美国市场，应用材料在氧化炉和常压CVD领域的份额受到冲击。公司于1981年聘请James C. Morgan担任CEO，他推行“聚焦核心”战略，砍掉非半导体业务，并大幅增加研发投入。据资料显示，1982年公司推出Precision 5000系列PECVD设备的前身——AMC 781型，但初期良率问题导致客户投诉，1983年公司出现上市以来首次年度亏损。为扭转局面，Morgan引入全面质量管理体系，并加强与英特尔、AMD等客户的联合工艺开发。1984年，公司推出革命性的Precision 5000型单晶圆多腔室CVD系统，将多个工艺步骤集成在同一平台，极大减少了晶圆污染和传输时间。该产品后来成为半导体设备史上的里程碑，但当年公司仍处于转型阵痛期，营收约8000万美元，利润微薄。这一阶段奠定了应用材料日后在单晶圆设备领域的领先地位。

1987年

应用材料公司推出Precision 5000型化学气相沉积设备，这是业界首款集成多腔室、单晶圆处理能力的商业化系统，成为半导体设备史上的革命性产品。该设备采用独特的“端站”架构，中央机械手在真空环境下将晶圆送入不同工艺腔室，可依次完成沉积、清洁、冷却等步骤，避免了传统批量式设备中晶圆暴露于大气造成的污染。背景是存储器芯片向兆位级发展，对薄膜均匀性和颗粒控制要求急剧提高。据资料显示，Precision 5000的腔室设计采用对称气体喷淋头，薄膜厚度均匀性达到±3%，颗粒密度降低一个数量级。该系统被IBM、东芝、三星等全球主要芯片厂采用，用于DRAM电容介质层和逻辑芯片层间绝缘层制备。凭借该产品，应用材料在1987年成为全球最大的半导体设备制造商之一，营收突破2亿美元。该产品还奠定了公司“平台化”开发理念，后续多代产品均基于此架构演进。业界普遍认为，Precision 5000帮助应用材料在全球半导体设备市场中确立了长期领导地位。

1992年

应用材料公司推出Endura系统，这是业界首款集成物理气相沉积（PVD）与预清洁功能的多腔室设备，专门用于先进金属化工艺。20世纪90年代初，芯片制程进入0.5微米以下节点，铝互连线的台阶覆盖和电迁移问题日益严重，钛/氮化钛阻挡层和钨填充成为关键工艺。Endura系统在超高真空环境下完成溅射沉积，并集成射频预清洁腔室，可去除晶圆表面的自然氧化层，确保金属层与下层材料的良好接触。据资料显示，该系统采用可旋转的磁控管靶材设计，薄膜均匀性和靶材利用率显著提升。Endura被英特尔、三星、台积电等厂商广泛用于逻辑芯片和存储器制造，成为金属互连工艺的标准设备。该产品系列持续演进超过二十年，累计销售数千台，为应用材料带来稳定收入。1992年公司营收达到7.5亿美元，全球市场份额超过15%，稳居半导体设备行业首位。Endura的成功也促使应用材料加大在刻蚀和离子注入等相邻领域的研发投入。

1997年

应用材料公司推出Black Widow（黑寡妇）高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）系统，解决了先进制程中浅沟槽隔离（STI）和层间介质填充的难题。随着工艺节点迈向0.25微米以下，传统PECVD在填充高深宽比沟槽时容易产生缝隙和空洞，导致器件漏电。HDP-CVD技术通过高密度等离子体同时进行沉积和溅射刻蚀，实现了自下而上的填充效果。据资料显示，Black Widow系统采用电感耦合等离子体源，离子密度达10^11/cm³量级，可在低温下填充深宽比超过6:1的结构。该产品被全球前十大芯片制造商全部采购，用于180纳米至90纳米节点的生产。1997年，应用材料年营收突破40亿美元，占据全球CVD设备市场超过50%份额。公司还借此机会拓展了客户服务业务，提供工艺优化和备件管理方案。该产品的成功进一步巩固了应用材料在沉积技术领域的绝对优势，但也使其面临反垄断审查，美国联邦贸易委员会曾要求其在部分市场增加竞争。